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NTPF110N65S3HF - MOSFET, N-CH, 650V, 30A, 240W, 0.11Ohm, TO220F Type Designator: NTPF110N65S3HF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 240 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V Maximum Drain Current |Id|: 30 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 62 nC Rise Time (tr): 25 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 52 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.11 Ohm Package: TO220FP

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NTPF110N65S3HF - MOSFET, N-CH, 650V, 30A, 240W, 0.11Ohm, TO220F

Type Designator: NTPF110N65S3HF
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 240 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 650 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 30 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 62 nC
Rise Time (tr): 25 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 52 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.11 Ohm
Package: TO220FP

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