HGTD1N120BNS9A - IGBT, 1200V, 5.3A, TO252 - HGTD1N120

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HGTD1N120BNS9A - IGBT, 1200V, 5.3A, TO252 Tipo de IGBT NPT Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 1200 V Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 5.3 A Corrente - Pulsada do coletor (Icm) 6 A Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,9V a 15V, 1A Potência - Máx. 60 W Energia de chaveamento 70µJ (lig), 90µJ (desl) Carga na porta 14 nC Td (on/off) a 25°C 15ns/67ns Condição de teste 960V, 1A, 82Ohm, 15V Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) TO-252-3, DPak (2 condutores + aba), SC-63

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HGTD1N120BNS9A - IGBT, 1200V, 5.3A, TO252

Tipo de IGBT NPT
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 5.3 A
Corrente - Pulsada do coletor (Icm) 6 A
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,9V a 15V, 1A
Potência - Máx. 60 W
Energia de chaveamento 70µJ (lig), 90µJ (desl)
Carga na porta 14 nC
Td (on/off) a 25°C 15ns/67ns
Condição de teste 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 condutores + aba), SC-63

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