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SGT60N60FD1PN - IGBT, N-CH, 600V, 120A, 321W, TO3P - SGT60N60FD1PN
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SGT60N60FD1PN - IGBT, N-CH, 600V, 120A, 321W, TO3P

SKP15N60 - Transistor IGBT 15A 600V TO220
GT30F125 - IGBT, N-CH, 330V, 200A, 25W, TO220F
SGT60N60FD1PN - IGBT, N-CH, 600V, 120A, 321W, TO3P Type Designator: SGT60N60FD1PN Marking Code: 60N60FD1 Type of IGBT Channel: N Maximum Power Dissipation (Pc), W: 321 Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600 Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.2 Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20 Maximum Collector Current |Ic|, A: 120 Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150 Rise Time, nS: 142 Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 294 Package: TO3P
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SGT60N60FD1PN
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SGT60N60FD1PN - IGBT, N-CH, 600V, 120A, 321W, TO3P

Type Designator: SGT60N60FD1PN
Marking Code: 60N60FD1
Type of IGBT Channel: N
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 321
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.2
Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20
Maximum Collector Current |Ic|, A: 120
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150
Rise Time, nS: 142
Maximum Collector Capacity (Cc), pF: 294
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