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2SB1306 - Transistor, PNP, 30V, 5A, 1.2W, TO92 - 2SB1306
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Type Designator: 2SB1306 Material of Transistor: Si Polarity: PNP Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1.2 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 180 Noise Figure, dB: - Package: TO92
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2SB1306
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Descrição

Type Designator: 2SB1306
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1.2 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 30 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 7 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 5 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 180
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2SB1306
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