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DTC114EB3 - Transistor, NPN, 50V, 0.05A, 0.3W, 10kOhm + 10kOhm, TO92S Type Designator: DTC114EB3 SMD Transistor Code: C114E Material of Transistor: Si Polarity: Pre-Biased-NPN Built in Bias Resistor R1 = 10 kOhm Built in Bias Resistor R2 = 10 kOhm Typical Resistor Ratio R1/R2 = 1 Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.3 W Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V Maximum Collector Current |Ic max|: 0.05 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C Transition Frequency (ft): 250 MHz Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 30 Noise Figure, dB: - Package: TO-92SP

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DTC114EB3

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Descrição

DTC114EB3 - Transistor, NPN, 50V, 0.05A, 0.3W, 10kOhm + 10kOhm, TO92S

Type Designator: DTC114EB3
SMD Transistor Code: C114E
Material of Transistor: Si
Polarity: Pre-Biased-NPN
Built in Bias Resistor R1 = 10 kOhm
Built in Bias Resistor R2 = 10 kOhm
Typical Resistor Ratio R1/R2 = 1
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.3 W
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 10 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 250 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 30
Noise Figure, dB: -
Package: TO-92SP

Dados do produto

Referência DTC114EB3

Ficha informativa

Tipo: SI

Canal: NPN

Tensão: 50V

Corrente: 0.05A

Potência: 0.3W

Caixa: TO92S

Montagem: THT

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