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Type Designator: 2SB618 Material of Transistor: Si Polarity: PNP Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 80 W Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 150 V Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 120 V Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C Transition Frequency (ft): 7 MHz Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 30 Noise Figure, dB: - Package: MT100

12,30 €

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2SB618

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Descrição

Type Designator: 2SB618
Material of Transistor: Si
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 80 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 150 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 120 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 7 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Transition Frequency (ft): 7 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 30
Noise Figure, dB: -
Package: MT100

Dados do produto

Referência 2SB618

Ficha informativa

Tipo: SI

Canal: PNP

Tensão: 150V

Corrente: 7A

Potência: 80W

Caixa: MT100

Montagem: THT

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