IRF650B - Mosfet N, 200V, 28A, 156W, 0.071ohms, TO-220

IRF650B - Mosfet N, 200V, 28A, 156W, 0.071ohms, TO-220 Fabricante: Fairchild Semiconductor Categoria de produto: MOSFET RoHS: Não Id - Corrente de drenagem contínua: 28 A Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 71 mOhms Polaridade do transistor: N-Channel Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 30 V Temperatura operacional máxima: + 150 C Pd - Dissipação de potência: 156 W Estilo de montagem: Through Hole Caixa / Gabinete: TO-220-3 Marca: Fairchild Semiconductor Modo de canal: Enhancement Configuração: Single Tempo de queda: 195 ns Temperatura operacional mínima: - 55 C Tempo de ascensão: 240 ns Série: IRF650 Tempo de retardo de desligamento típico: 295 ns