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Disponível a partir de: 2015-06-01

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IXTQ22N50P

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Descrição

IXTQ22N50P - MOSFET N, 500V, 22A, 350W, 0.27R, TO220

Id - Corrente de drenagem contínua: 22 A
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 270 mOhms
Polaridade do transistor: N-Channel
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 30 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 350 W
Estilo de montagem: Through Hole
Marca: IXYS
Modo de canal: Enhancement
Configuração: Single
Tempo de queda: 21 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 20 S
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Tempo de ascensão: 27 ns
Tempo de retardo de desligamento típico: 75 ns

Dados do produto

Referência IXTQ22N50P

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