MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252
Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: -18.6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: -60V
Resistencia de Activación Rds(on): 0.1ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -3V
Disipación de Potencia Pd: 80W
Diseño de Transistor: TO-252
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C