SPD18P06P G - MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252Transistor, Polaridad: Canal PIntensidad Drenador Continua Id: -18.6ATensión Drenaje-Fuente Vds: -60VResistencia de Activación Rds(on): 0.1ohmTensión Vgs de Medición Rds(on): -10VTensión Umbral Vgs: -3VDisipación de Pot ...
2,46 €
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Disponível em armazem remoto 1-3 Dias
Disponível a partir de: 2014-08-06
Referência:
SPD18P06P
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Descrição

MOSFET, P-CH, 60V, 18.6A, TO-252
Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: -18.6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: -60V
Resistencia de Activación Rds(on): 0.1ohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -3V
Disipación de Potencia Pd: 80W
Diseño de Transistor: TO-252
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C

Dados do produto
SPD18P06P
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