AUIRF3710ZS - Mosfet N, 100V, 59A, 160W, 0.018 Ohm, D2PAK
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 59A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
Resistencia de Activación Rds(on): 14mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 2V
Disipación de Potencia Pd: 160W
Diseño de Transistor: TO-263
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Intensidad Id Max: 59A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vgs Máx.: 20V