IKP10N60TXKSA1 - IGBT, N, 600V, 10A, TO-220 C, 30A

IKP10N60TXKSA1 - IGBT, N, 600V, 10A, TO-220 IGBT, N, 600V, 10A, TO-220 Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V Disipación de Potencia Pd: 110W Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 600V Diseño de Transistor: TO-220 Núm. de Contactos: 3 Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013) Disipación de Potencia Máx.: 110W Intensidad Ic Continua a Max: 10A Núm. de Transistores: 1 Rango de Temperatura de Trabajo: -40°C a +175°C Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C Tensión Vces: 600V Tipo de Terminación: Taladro Pasante Tipo de Transistor: IGBT Transistor, Polarida ...
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Disponível a partir de: 2014-07-15
Referência:
IKP10N60T
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Descrição

IKP10N60TXKSA1 - IGBT, N, 600V, 10A, TO-220

IGBT, N, 600V, 10A, TO-220
Corriente de Colector DC: 20A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V
Disipación de Potencia Pd: 110W
Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 600V
Diseño de Transistor: TO-220
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Disipación de Potencia Máx.: 110W
Intensidad Ic Continua a Max: 10A
Núm. de Transistores: 1
Rango de Temperatura de Trabajo: -40°C a +175°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C
Tensión Vces: 600V
Tipo de Terminación: Taladro Pasante
Tipo de Transistor: IGBT
Transistor, Polaridad: Canal N

Dados do produto
IKP10N60T
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