Transistor Mosfet 100V 10A 48W TO-252

MOSFET, N, 100V, 11A, I-PAK
Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 10A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 100V
Resistencia de Activación Rds(on): 185mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 2V
Disipación de Potencia Pd: 48W
Diseño de Transistor: TO-251AA
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC): No SVHC (16-Dec-2013)
Corriente de Impulso Idm: 35A
Intensidad Id Max: 10A
Intensidad Temperatura: 25°C
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Resistencia Térmica A, Unión-Cápsula: 3.2°C/W
Resistencia de Encendido @ Vgs = 10V: 185mohm
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds: 100V
Tensión Vds Típ.: 100V
Tensión Vgs Máx.: 2V
Tensión Vgs th Máx.: 2V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: 10V
Tipo Alterno: I-PAK