IRF9610 - Transistor Mosfet P 200V 1,8A 20W TO-220

MOSFET, P, TO-220 Transistor, Polaridad: Canal P Intensidad Drenador Continua Id: 1.75A Tensión Drenaje-Fuente Vds: 200V Resistencia de Activación Rds(on): 3ohm Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V Tensión Umbral Vgs: -4V Disipación de Potencia Pd: 20W Diseño de Transistor: TO-220AB Núm. de Contactos: 3 Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): - Corriente de Impulso Idm: 7A Espaciado de Cable: 2.54mm Formato de Pin: 1 g 2 d/tab 3 s Intensidad Id Max: -1.8A Intensidad Temperatura: 25°C Núm. de Transistores: 1 Pin, Configuración: a Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C Temperatura a Plena Potencia: 25°C Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C Tensión Vds Típ.: -200V Tensión Vgs Máx.: 20V Tensión, Medida de Vgs Rds on: -10V