IRF1010EPBF - Mosfet N, 60V, 81A, 170W, 0.012 Ohm, TO220

Mosfet N, 60V, 81A, 170W, 0.012 Ohm, TO220

Transistor, Polaridad: Canal N
Intensidad Drenador Continua Id: 81A
Drain Source Voltage Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 12mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs: 4V
Power Dissipation Pd: 170W
Transistor, Tipo: TO-220AB
No. of Pins: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 175°C
MSL: -
SVHC: No SVHC (16-Dec-2013)
Espaciado de Cable: 2.54mm
Formato de Pin: 1 g
2 d/tab
3 s
Full Power Rating Temperature: 25°C
Intensidad Id Max: 84A
Intensidad Temperatura: 25°C
Junction to Case Thermal Resistance A: 0.9°C/W
Núm. de Transistores: 1
Pulse Current Idm: 330A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +175°C
Resistencia de Encendido @ Vgs = 10V: 12mohm
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: 60V
Tipo de Terminación: Taladro Pasante
Voltage Vgs Max: 4V
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V