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Disponível a partir de: 2014-04-11

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BDT65C

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Material of transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum collector power dissipation (Pc), W: 125

Maximum collector-base voltage |Ucb|, V: 120

Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 120

Maximum emitter-base voltage |Ueb|, V: 0

Maximum collector current |Ic max|, A: 12

Maksimalna temperatura (Tj), °C: 150

Transition frequency (ft), MHz: 10

Collector capacitance (Cc), pF:

Forward current transfer ratio (hFE), min: 2000

Noise Figure, dB: -

Package of BDT65C transistor: TO220

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