IRG4PH30KDPBF - IGBT N, 1200V, 20A, 100W, 23 Ohm, TO247

Mosfet N, 1200V, 20A, 100W, 23 Ohm, TO247 DC Collector Current: 20A Collector Emitter Voltage Vces: 3.1V Power Dissipation Pd: 100W Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV Operating Temperature Min: -55°C Operating Temperature Max: 150°C Transistor Case Style: TO-247 No. of Pins: 3 Current Ic Continuous a Max: 20A Current Temperature: 25°C Fall Time Typ: 97ns Full Power Rating Temperature: 25°C No. of Transistors: 1 Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Power Dissipation Max: 100W Pulsed Current Icm: 40A Rise Time: 79ns Short Circuit Withstand Time Min: 10µs Termination Type: Through Hole Transistor Polarity: N Channel Transistor Type: IGBT Voltage Vces: 1.2kV
7,50 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2014-03-10
Referência:
IRG4PH30KD
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Descrição

Mosfet N, 1200V, 20A, 100W, 23 Ohm, TO247
DC Collector Current: 20A
Collector Emitter Voltage Vces: 3.1V
Power Dissipation Pd: 100W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: TO-247
No. of Pins: 3
Current Ic Continuous a Max: 20A
Current Temperature: 25°C
Fall Time Typ: 97ns
Full Power Rating Temperature: 25°C
No. of Transistors: 1
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Power Dissipation Max: 100W
Pulsed Current Icm: 40A
Rise Time: 79ns
Short Circuit Withstand Time Min: 10µs
Termination Type: Through Hole
Transistor Polarity: N Channel
Transistor Type: IGBT
Voltage Vces: 1.2kV

Dados do produto
IRG4PH30KD
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