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IPA60R400CE - MOSFET, N-CH, 600V, 10.3A, 31W, 0.4Ohm, TO220F - IPA60R400CE
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Type Designator: IPA60R400CE Marking Code: 6R400CE Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 31 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V Maximum Drain Current |Id|: 10.3 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 32 nC Rise Time (tr): 9 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 46 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.4 Ohm Package: TO-220F
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IPA60R400CE
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Descrição

Type Designator: IPA60R400CE
Marking Code: 6R400CE
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 31 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 10.3 A
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Total Gate Charge (Qg): 32 nC
Rise Time (tr): 9 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 46 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.4 Ohm
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IPA60R400CE
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