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IRFR9110 - MOSFET P 100V 3.1A 25W 1.2R TO252 - IRFR9110
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IRFR9110 - MOSFET P 100V 3.1A 25W 1.2R TO252 Type Designator: IRFR9110PBF Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: P -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V Maximum Drain Current |Id|: 3.1 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Total Gate Charge (Qg): 8.7 nC Rise Time (tr): 27 nS Drain-Source Capacitance (Cd): 94 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.2 Ohm Package: TO-252
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IRFR9110
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IRFR9110 - MOSFET P 100V 3.1A 25W 1.2R TO252

Type Designator: IRFR9110PBF
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: P -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 25 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 3.1 A
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Total Gate Charge (Qg): 8.7 nC
Rise Time (tr): 27 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 94 pF
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