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AO4606 - Complementary Enhancement Mode Field Effect Soic8 - AO4606D
AO4606 - Complementary Enhancement Mode Field Effect Soic8 - AO4606D

AO4606 - Complementary Enhancement Mode Field Effect Soic8

IRL1404 - Mosfet N, 40V, 160A, 200W, 0.004 Ohm, TO220
STW120NF10 - MOSFET, N CH, 100V, 110A, TO-247
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Soic8. The AO4606 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.
5,54 €
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Disponível a partir de: 2014-01-28
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AO4606D
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Descrição

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Soic8.

The AO4606 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

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AO4606D
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