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2SK899 - MOSFET 500V, 18A, 125W, 0.33R TO3P Type Designator: 2SK899 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Drain Current |Id|: 18 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.33 Ohm Package: TO3P

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Disponível a partir de: 2018-11-02

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2SK899 - MOSFET 500V, 18A, 125W, 0.33R TO3P

Type Designator: 2SK899
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.33 Ohm
Package: TO3P

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