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Type Designator: IXTK120N25PType of Transistor: MOSFETType of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 700 WMaximum Drain-Source Voltage |Vds|: 250 VMaximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 VMaximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V ...
15,04 €
Com IVA
Sem Stock
Disponível a partir de: 2018-09-18
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Referência:
IXTK120N25P
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Descrição

Type Designator: IXTK120N25P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 700 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 250 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 120 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Rise Time (tr): 200 nS
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.024 Ohm
Package: TO264

Dados do produto
IXTK120N25P
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