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Disponível a partir de: 2018-03-08

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IXFH32N50

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IXFH32N50Q - MOSFET N, 500V, 32A, 416W, 0.15R TO247

Type Designator: IXFH32N50Q
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 416 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4.5 V
Maximum Drain Current |Id|: 32 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.15 Ohm
Package: TO247

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Referência IXFH32N50

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