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IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3 - IKD10N60RATMA1
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IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3 #1 - IKD10N60RATMA1
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IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3 #1 - IKD10N60RATMA1

IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3

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IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3 Categoria de produto: Transistores IGBT Tecnologia: Si Caixa / Gabinete: TO-252-3 Estilo de montagem: SMD/SMT Configuração: Single Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.65 V Tensão do emissor do gate máxima: 20 V Corrente contínua do coletor a 25ºC: 20 A Pd - Dissipação de potência: 150 W Temperatura operacional mínima: - 40 C Temperatura operacional máxima: + 175 C
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IKD10N60RATMA1
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IKD10N60RATMA1 - IGBT, 600V, 20A, TO252-3

Categoria de produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Caixa / Gabinete: TO-252-3
Estilo de montagem: SMD/SMT
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.65 V
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 20 A
Pd - Dissipação de potência: 150 W
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 175 C

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