DS1230Y-100+ - NVSRAM, 256K, TOTALMENTE ESTÁTICO, 1230

NVSRAM, 256K, TOTALMENTE ESTÁTICO, 1230 Tamaño de la Memoria: 256Kbit Configuración Memoria NVRAM: 32K x 8bit Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V Tensión de Alimentación Máx.: 5.5V Memoria, Tipo: DIP Núm. de Contactos: 28 Tipo de Interfaz IC: Paralelo Tiempo de Acceso: 100ns Temperatura de Trabajo Mín.: -40°C Temperatura de Trabajo Máx.: 85°C Tipo de Empaquetado: Individual IC, Número Genérico: 1230 Memoria, Tensión Vcc: 5V Memoria, Tipo: NV RAM NVRAM Caracaterísticas: Batería Interna Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): - Número de la Base: 1230 Rango de Temperatura CI: Industrial Rango de Temperatura de Trabajo: -40°C a +85°C Tensión de Alimentación, Rango: 4.5V a 5.5V Tipo de Terminación: Taladro Pasante .