SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SOIC8

SI4936CDY-T1-GE3 - MOSFET, NN-CH, 30V, 5.8A, SO8

Transistor, Polaridad: Canal N Doble
Intensidad Drenador Continua Id: 5.8A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 30V
Resistencia de Activación Rds(on): 33mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
Tensión Umbral Vgs: 3V
Disipación de Potencia Pd: 2.3W
Diseño de Transistor: SOIC
Núm. de Contactos: 8
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): MSL 1 - Ilimitado
Configuración de Módulo: Dual
Intensidad Drenador Continua Id, Canal N: 5.8A
Intensidad Id Max: 5.8A
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Resistencia de Activación Rds(on), Canal N: 0.04ohm
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Drenaje-Fuente Vds, Canal N: 30V
Tensión Vgs Máx.: 20V