IRFU9014 - MOSFET, P, -60V, -5.1A, I-PAK

MOSFET, P, -60V, -5.1A, I-PAK
Transistor, Polaridad: Canal P
Intensidad Drenador Continua Id: 5.6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds: 60V
Resistencia de Activación Rds(on): 500mohm
Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10V
Tensión Umbral Vgs: -4V
Disipación de Potencia Pd: 30W
Diseño de Transistor: TO-251AA
Núm. de Contactos: 3
Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): -
Corriente de Impulso Idm: 22A
Espaciado de Cable: 2.28mm
Intensidad Id Max: -5.1A
Intensidad Temperatura: 25°C
Longitud del Conductor: 9.65mm
Núm. de Transistores: 1
Rango de Temperatura de Trabajo: -55°C a +150°C
Resistencia Térmica A, Unión-Cápsula: 5°C/W
Temperatura a Plena Potencia: 25°C
Temperatura de Trabajo Mín.: -55°C
Tensión Vds Típ.: -60V
Tensión Vgs Máx.: 20V
Tensión, Medida de Vgs Rds on: -10V
Tiempo de Desconexión: 17ns
Tiempo de Encendido: 40ns
Tipo Alterno: I-PAK
Tipo de Terminación: Taladro Pasante