DMG2307L - Mosfet P, 30V, 3.8A, 0.76W, 0.09 Ohm, SOT23

DMG2307L - Mosfet P, 30V, 3.8A, 0.76W, 0.09 Ohm, SOT23 Fabricante: Diodes Incorporated Categoria de produto: MOSFET RoHS: Em conformidade com a RoHS Detalhes Polaridade do transistor: P-Channel Tensão de ruptura do dreno - fonte: - 30 V Tensão de ruptura do gate - fonte: +/- 20 V Corrente de dreno contínua: - 3.8 A Rds On: 90 mOhms Configuração: Single Temperatura operacional máxima: + 150 C Estilo de montagem: SMD/SMT Caixa / Gabinete: SOT-23-3 Embalagem: Reel Marca: Diodes Incorporated Tempo de queda: 13.4 ns Transcondutância em avanço - Mín: 4.8 S Carga da Porta Qg: 8.2 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Dissipação de energia: 0.76 W Tempo de ascensão: 7.3 ns
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Em Stock
Disponível a partir de: 2014-05-26
Referência:
DMG2307L-7
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Descrição

DMG2307L - Mosfet P, 30V, 3.8A, 0.76W, 0.09 Ohm, SOT23

Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Em conformidade com a RoHS Detalhes
Polaridade do transistor: P-Channel
Tensão de ruptura do dreno - fonte: - 30 V
Tensão de ruptura do gate - fonte: +/- 20 V
Corrente de dreno contínua: - 3.8 A
Rds On: 90 mOhms
Configuração: Single
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-23-3
Embalagem: Reel
Marca: Diodes Incorporated
Tempo de queda: 13.4 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 4.8 S
Carga da Porta Qg: 8.2 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Dissipação de energia: 0.76 W
Tempo de ascensão: 7.3 ns

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