2SK2018-01L - MOSFET N 60V 10A 20W 0.1R

Type Designator: 2SK2018-01LType of Transistor: MOSFETType of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation (Pd): 20 WMaximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 VMaximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 VMaximum Drain Current |Id|: 10 AMaximum Junctio ...
4,92 €
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Em Stock
Disponível a partir de: 2019-02-28
Referência:
2SK2018
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Descrição

Type Designator: 2SK2018-01L
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 20 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 20 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 200 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.1 Ohm
Package: K-PACK-L

Dados do produto
2SK2018
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