BSR57 - JFet, N, 0.5V, 20-100mA, Sot-23
Detalhes do produto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 20 ? 100mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente 0,5 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador 40V
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Tipo de Montaje Montaje superficial
Tipo de Encapsulado SOT-23
Conteo de Pines 3
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 0.97mm
Altura 0.97mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 2.9mm
Ancho 1.3mm