IPB042N10N3GATMA1 - Mosfet N, 100V, 100A, 214W, 4.2mR TO263

IPB042N10N3GATMA1 - Mosfet N, 100V, 100A, 214W, 4.2mR TO263Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES Tipo de transístor N-MOSFET Polarização unipolar Tensão dreno-fonte 100V Corrente de dreno 100A Potência 214W Carcaça PG-TO263-3 Tensão porta-fon ...
2,39 €
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Disponível a partir de: 2018-02-14
Referência:
IPB042N10N3GATMA1
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Descrição

IPB042N10N3GATMA1 - Mosfet N, 100V, 100A, 214W, 4.2mR TO263

Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor N-MOSFET
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 100V
Corrente de dreno 100A
Potência 214W
Carcaça PG-TO263-3
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 4.2mO
Montagem SMD
Tecnologia OptiMOS™ 3

Dados do produto
IPB042N10N3GATMA1
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