DG402RP - Transistor, N, 40A, 40W, 430V, TO-220

DG402RP - Transistor, N, 40A, 40W, 430V, TO-220 Type Designator: 2PG006(DG402RP) Type of IGBT channel: N-Channel Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: 40 Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 430 Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 1.75 Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: 30 Maximum collector current |Ic|, A: 40 Maximum junction temperature (Tj), °C: 150 Rise time, nS: 400 Maximum collector capacity (Cc), pF: 130 Package: TO220
4,50 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2017-02-27
Referência:
DG402RP
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Descrição

DG402RP - Transistor, N, 40A, 40W, 430V, TO-220

Type Designator: 2PG006(DG402RP)
Type of IGBT channel: N-Channel
Maximum power dissipation (Pc) of IGBT transistor, W: 40
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 430
Collector-emitter saturation voltage |Ucesat|, V: 1.75
Maximum gate-emitter voltage |Ueg|, V: 30
Maximum collector current |Ic|, A: 40
Maximum junction temperature (Tj), °C: 150
Rise time, nS: 400
Maximum collector capacity (Cc), pF: 130
Package: TO220

Dados do produto
DG402RP
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