IXFN55N50 - Mosfet N, 500V, 55A, 560W, SOT-227

IXFN55N50 - Mosfet N, 500V, 55A, 560W, SOT-227

Fabricante: IXYS
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Em conformidade com a RoHS Detalhes
Id - Corrente de drenagem contínua: 55 A
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 90 mOhms
Polaridade do transistor:N-Channel
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte: 20 V
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 625 W
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOT-227-4
Marca: IXYS
Modo de canal: Enhancement
Configuração: Single
Tempo de queda: 45 ns
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Tempo de ascensão: 60 ns
Série: IXFN55N50
Tempo de retardo de desligamento típico: 120 ns
Peso unitário: 38 g