Transistores

GIPS10K60T - Small Low-Loss Intelligent Molded IGBT

Tipo:IGBT
Canal:N-CH
Tensão:600V
Corrente:40A
Potência:290W
Caixa:TO3P
Montagem:THT
Marking Code 40N60NPFD

Download Datasheet

2N1893 - Transistor, NPN, 80V, 0.5A, 0.8W, TO39

HGTG20N60A4

IGBT, N, TO-247
Transistor Type: IGBT
DC Collector Current: 70A
Collector Emitter Voltage Vces: 2.7V
Power Dissipation Pd: 290W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: TO-247
No. of Pins: 3
MSL: (Not Applicable)
SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style: SOT-249
Current Ic Continuous a Max: 70A
Current Temperature: 25°C
Device Marking: HGTG20N60A4
Fall Time tf: 32ns
Full Power Rating Temperature: 25°C
No. of Transistors: 1
Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
Package / Case: TO-247
Pin Format: GCE
Power Dissipation Max: 290W
Power Dissipation Pd: 290W
Power Dissipation Pd: 290W
Power Dissipation Ptot Max: 290W
Puls ...

O 2N1711 é um transistor bipolar de junção (BJT) do tipo NPN, utilizado para amplificação e comutação em aplicações gerais, suportando uma tensão máxima de coletor-emissor de 50V, corrente máxima de coletor de 0.5A e dissipação máxima de potência de 0.8W. Apresenta encapsulamento metálico TO-39 com montagem Through Hole, adequado para ambientes exigentes.

Type of IGBT Channel: N-ChannelMaximum Power Dissipation (Pc), W: 40Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 300Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.5Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 30Maximum Collector Current |Ic|, A: 30Maxim ...

Tipo de Transistor: JFET
Canal: NPN
Tensão Dreno-Source: 40V
Corrente Dreno: 0.15A
Potência Dissipada: 1.8W
Resistência Dreno (Rds): 100 Ohm
Encapsulamento: TO18

PMBT2369 - Bipolar Switching N, 15V, 0.2A, 0.25W, 500MHz, SOT23

PSS30S71F6 - Módulos IGBT Mini DIPIPM Version 6 6-PAC


Produto: IGBT Silicon Modules
Configuração: 6-Pack
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 600 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1.4 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 30 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: -
Pd - Dissipação de potência: 90.9 W
Temperatura operacional mínima: - 20 C
Temperatura operacional máxima: + 100 C
Marca: Mitsubishi Electric
Estilo de montagem: Screw Mount

Tipo:IGBT
Canal:N-CH
Tensão:600V
Corrente:31A
Potência:160W
Caixa:TO247
Montagem:THT

Tipo de Transistor: JFET
Canal: NPN
Tensão Dreno-Source: 30V
Corrente Dreno: 0.03A
Potência Dissipada: 0.3W
Resistência Dreno (Rds): 150 Ohm
Encapsulamento: TO72

2N2219A - Transistor, NPN, 60V, 0.8A, 0.8W, TO39

Tipo:SI
Canal:N
Tensão:60V
Corrente:0.8A
Potência:0.8W
Caixa:TO39
Montagem:THT

Type Designator: IRG7IC28U
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 40
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.95
Maximum Collector Current |Ic|, A: 25
Package: TO220AB .

2N2222A - Transistor, NPN, 40V, 0.6A, 0.625W, TO92

2MBI200N-120 - Dual IGBT Module, 1200V 200A, W/ Over Current Limiting Circuit

30G123 - IGBT 430V / 200A – Toshiba

Tipo de Transistor: JFETCanal: NPNTensão Dreno-Source: 40VCorrente Dreno: 0.008APotência Dissipada: 1.8WResistência Dreno (Rds): 60 OhmEncapsulamento: TO18

Tipo:Si
Canal:NPN
Tensão:60V
Corrente:0.8A
Potência:0.5W
Caixa:TO18
Montagem:THT

CM150DY-12H - IGBT Module Half Bridge 600 V 150 A 600 W

Configuration: Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
Power - Max 600 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 15 nF @ 10 V

Type Designator: IKD06N60R
Marking Code: K06R60
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Power Dissipation (Pc), W: 100
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.65
Maximum Collector Current |Ic|, A: 12
Package: DPAK(TO252)